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元件参数资料
>
参数目录42190
> EPC2012 TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
型号:
EPC2012
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
EPC
描述:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
EPC2012 PDF
应用说明
Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块
Paralleling eGaN? FETs
标准包装
1,000
系列
eGaN®
FET 型
GaNFET N 通道,氮化镓
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 3A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1.5nC @ 100V
输入电容 (Ciss) @ Vds
128pF @ 100V
功率 - 最大
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商设备封装
模具
包装
带卷 (TR)
配用
917-1013-ND - BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
其它名称
917-1017-2
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